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              雙向可控硅十大使用準則

              發布時間:2018-06-14 16:33:33    瀏覽:8067

                準則1:為了導通閘流管(或雙向可控硅),必須有門極電流≧IGT,直至負載電流達到≧IL。這條件必須滿足,并按可能遇到的最低溫度考慮。

                準則2:要斷開(切換)閘流管(或雙向可控硅),負載電流必須間,使能回復至截止狀態。在可能的最高運行溫度下必須滿足上述條件。

                準則3:設計雙向可控硅觸發電路時,只要有可能,就要避開3+象限(WT2-,+)。

                準則4:為減少雜波吸收,門極連線長度降至最低。返回線直接連至MT1(或陰極)。若用硬線,用螺旋雙線或屏蔽線。門極和MT1間加電阻1kΩ或更小。高頻旁路電容和門極間串接電阻。另一解決辦法,選用H系列低靈敏度雙向可控硅。

                規則5:若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起問題,在MT1和MT2間加入RC緩沖電路。若高dICOM/dt可能引起問題,加入一幾mH的電感和負載串聯。另一種解決辦法,采用Hi-Com雙向可控硅。

              雙向可控硅

                準則6:假如雙向可控硅的VDRM在嚴重的、異常的電源瞬間過程中有可能被超出,采用下列措施之一:負載上串聯電感量為幾μH的不飽和電感,以限制dIT/dt;用MOV跨接于電源,并在電源側增加濾波電路。

                準則7:選用好的門極觸發電路,避開3+象限工況,可以最大限度提高雙向可控硅的dIT/dt承受能力。

                準則8:若雙向可控硅的dIT/dt有可能被超出,負載上最好串聯一個幾μH的無鐵芯電感或負溫度系數的熱敏電阻。另一種解決辦法:對電阻性負載采用零電壓導通。

                準則9:器件固定到散熱器時,避免讓雙向可控硅受到應力。固定,然后焊接引線。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側。

                準則10:為了長期可靠工作,應保證Rthj-a足夠低,維持Tj不高于Tjmax,其值相應于可能的最高環境溫度。

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